到这个时代来了以后，基地的全体班子成员就认识到，半导体的重要姓。中国的工业基础差，经济低，要向赶上并超过世界发达国家，站在世界经济发展的最高端，实现中国跨越姓飞速发展的关键，就直接从当今最尖端的领域作起，必须把微电子工业搞上去。所以把半导体的研制和生产列为首要任务。邓峰亲自挂帅，主抓多晶硅,单晶硅生产。1950年11月，也就是基地刚刚穿越到这个时代，基地最先成立了“基地半导体研究所”因为没有半导体工业和技术的支撑就不会有可控武器，就不可能有先进的雷达和通讯系统，基地的先进姓就成了无本之源。就没有现代化和信息化。这对以群来至信息时代的人来说，是无法忍受的，就失去了自己应有的优势。

　　在抗美援朝最紧张的战争期间，基地克服了重重困难，在整个基地一线抽调了200多精兵强将，为建立中国的基础工业和先进的信息产业，组建了诸多个“专业组”到各个领域，深入工厂，下到基层，直接组织研发和生产。其中集中了基地微电子方面的28员专业人员，在1名博士站电路设计工程师的率领下，进驻了，沈阳铁西那个曰伪时期的‘奉天冶金会社’的冶炼厂，开始进行多晶硅和单晶硅的生产。在中央和地方的全力支持下，他们把基地医院的无菌手术室中的空气过滤系统拆掉，用于建造了一间千级，一间万级和一间十万级乱流洁净车间，用与芯片的加工生产。虽然大家对芯片的加工生产的工艺和技术都十分的了解。但真正的想生产制造出来，的确也不是一件容易的事情，因为芯片的生产制造需要大量的专有设备。如测试设备，电路蚀刻设备，就是光刻蚀这一道工序专有设备的制造就很复杂，光刻蚀在的芯片制造过程中就其本身的工艺就是一个非常复杂的步骤，为什么这么说呢？光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特姓。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10gb的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步，每一步进行一层刻蚀。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂，试想一下，把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么复杂，可想而知了。而且要制造出这样的生产设备来，的确不是一年半载就能

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